在以下内容中,编辑器将重点介绍三极管的主要参数以及场效应管和三极管之间的差异。

我希望本文可以帮助您提高对三极管的了解。

让我看一看。

1.三极管的主要参数首先,让我们看一下三极管的主要参数。

主要参数包括四个。

能够独立选择合适的晶体管的先决条件是我们对晶体管的一些主要参数有深刻的理解。

俗话说,好记不如坏笔。

最好手头有三极管特性手册。

三极管实际上有很多参数,但并不是每个参数都是三极管的主要参数。

随着编辑器使用越来越多的晶体管,编辑器相信ICM,BVCEO,PCM和FT是选择三极管时必须考虑的参数。

1.参数ICM的中文含义是集电极的最大允许电流。

那么,集电极的最大允许电流是多少?集电极的最大允许电流是晶体管的电流放大率β不能超过的值。

2.参数BVCEO代表集电极-发射极的反向击穿电压。

然后,当晶体管中的电压超过该电压值时,我们将这种现象称为击穿。

当您需要注意时,如果晶体管发生击穿,会对晶体管造成一定程度的损坏。

因此,在使用三极管时,必须避免击穿现象。

3.参数PCM表示集电极的最大允许功耗。

如果晶体管的工作温度超过此参数,则晶体管将被烧坏,从而造成永久性损坏。

因此,在使用三极管时,在其使用寿命内,必须确保其应用环境的温度低于此值。

4.参数FT代表特征频率。

三极管的特定性能与特征频率之间存在一定的联系,通常将其表示为:当三极管的频率增加时,三极管的性能将继续降低。

为了确保我们的三极管可以在适当的性能范围内工作,我们需要注意三极管的功率。

其次,FET和三极管之间的区别。

通过以上介绍,希望大家对三极管的主要参数有一定的了解。

接下来,让我们看一下场效应管和三极管之间差异的相关内容。

场效应管是电压控制元件,三极管是电流控制元件。

当仅允许来自信号源的小电流时,应使用FET。

但是,在信号源电压低并允许来自信号源的更多电流的条件下,将使用三极管。

场效应管由多个子传导电流,管中只有一种极性载体移动,三极管同时使用多个子和少数子。

由于多载流子浓度不易受外部因素影响,因此在环境急剧变化的情况下使用场效应晶体管更为合适。

场效应管的输入电阻较高,适用于输入电阻较高的场合。

场效应管的噪声系数非常小,适合于低噪声放大器的前级。

三极管是双极管,也就是说,当管工作时,两种载流子进入管内部:空穴和自由电子。

场效应管是单极管,也就是说,当管工作时,只有空穴或只有自由电子参与传导,并且只有一种类型的载流子。

2.三级管是电流控制装置,有输入电流时会有输出电流。

3.三极管的输入阻抗小,而场效应管的输入阻抗大。

4.某些FET的源极和漏极可以互换,但三极管的集电极和发射极不能互换。

5.就噪声系数而言,FET小于三极管。

通常,FET更适合于低噪声放大器的前级。

上面总结的五点是编辑在使用FET和三极管的过程中感受到的两者之间的差异。

两者之间的差异绝对不止如此,而且更多的差异正在等待大家在实践中发现。

通过编辑器的介绍,希望每个人都了解三极管的主要参数以及场效应管和三极管之间的区别。

通过这篇文章,我想知道你是否足够