IGBT的开关过程主要由栅极电压VGE控制。
由于栅极和发射极之间存在寄生电容，因此IGBT的导通和截止等效于CGE的充电和放电。
假设IGBT的初始状态为关闭状态，即VGE为负电压VGC-，而后一级的输出为带有续流二极管的电阻性和电感性负载。
由于寄生参数和负载特性的影响，IGBT的实际导通和关断过程更加复杂。
图1是IGBT导通和关断过程的示意图。
图中的栅极驱动波形更理想，集电极电流和集电极发射极电压的波形大致为实际波形，仅细节被理想化。
图1 IGBT开关时间示意图表1列出了IGBT开关时间的定义，然后详细介绍了IGBT开关的每个阶段。
开启时间ton当ICBT开启时，在VGE上升到0V之后，VCE下降到最大值的10％。
接通延迟时间td（on）当IGBT接通时，当集电极电流上升到最大值的10％时，IGBT将启动。
直到VCE下降到最大值的10％为止的上升时间tr。
IGBT导通时，集电极电流上升到最大值的10％。
关断时间toff达到90％。
IGBT关断时，从VCE开始。
当IGBT关断时，集电极电流从最大值的90％开始，并且在下降电流的切线上，集电极电流下降到10％。
下降时间tf当IGBT关闭时，集电极电流从最大值的90％开始，并从下降电流的切线开始。
直到下降到10％的时间。
终止时间tt直到内置二极管中的反向恢复电流消失所需的时间。
当内置二极管中的正向电流中断时，尾电流It等于反向流动电流的峰值。
表1 IGBT的开关时间定义1接通时间ton接通时间也可以分为两部分：接通延迟时间td（on）和上升时间tr。
在此期间，IGBT主要工作在有源区。
当在栅极和发射极的方向上施加阶跃型正向驱动电压时，CGE开始充电，VGE开始上升。
上升过程的时间常数由CGE和栅极驱动网络的电阻确定。
一旦VGE达到导通电压VGE（th），集电极电流IC就开始上升。
从VGE上升到VGE（th），再到IC上升到负载电流IL的10％，此时间段定义为导通延迟时间td（on）。
此后，集电极电流IC继续上升，直到IC上升到负载电流IL的90％。
该时间段称为上升时间tr。
接通延迟时间td（on）与上升时间tr之和称为接通时间ton。
可以看出，在整个导通时间内，电流逐渐升高，而集电极和发射极之间的电压降仍然很大，因此在此期间发生了主导通损耗。
2 IGBT导通IGBT导通时，主要工作在饱和区域。
IGBT导通后，集电极电流Ic将继续上升，并且将产生导通电流峰值。
该峰值由电阻性感性负载和续流二极管产生。
峰值电流过大可能会耗尽IGBT。
IC达到峰值后，它将逐渐下降到负载电流IC的水平。
同时，VCE也下降到饱和电压下降水平，并且IGBT进入相对稳定的导通阶段。
此阶段的主要参数是由负载和较低的饱和压降VCEsat确定的导通电流IL。
可以看出，在饱和区工作的IGBT的损耗不是特别大。
3关断时间toff与接通时间ton一样，关断时间toff也可以分为两部分：关断延迟时间td（off）和下降时间tf。
当栅极和发射极之间的正电压突然抵消并且同时施加负电压时，VCE开始下降。
下降过程的时间常数仍由输入电容CGE和栅极驱动环路的电阻确定。
同时，VCE开始上升。
但是，只要VCE小于VCC，续流二极管就处于截止状态，并且无法继续通电。
因此，在此期间，IGBT的集电极电流IC不会明显下降。
因此，从栅极-发射极电压VCE下降到其导通值的90％，直到集电极电流下降到负载电流的90％；该时间段被定义为关闭延迟时间td（关闭）。
一旦收集
