请参阅 XGL4020 和 XGL4030， 以节省多达35％的电路板空间。
参见XGL5050， 以显着降低DCR（降低多达35％）和提高L值（高达33 µH）
-
低电感值，适用于高频应用
-
高频下交流损耗极低，DCR极低
-
软饱和度可承受高电流尖峰
-
磁屏蔽
-
复合结构最大程度地减少了嗡嗡声
-
无热老化–非常适合高温应用
-
AEC-Q200 1级（−40°C至+ 125°C），最高零件温度为165°C
| 零件号 1个 |
电感（µH） 2个 （公差：±20％） |
DCR（mΩ） 3 | SRF典型值（MHz） 4 | 伊萨特（A） 5 | Irms（A） 6 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 典型值 | 最大限度 | 下降10％ | 下降20％ | 下降30％ | 上升20°C | 上升40°C | |||
| XEL5050-141ME_ | 0.14 | 1.5 | 1.8 | 189 | 16.1 | 27.0 | 39.0 | 24.6 | 35.1 |
| XEL5050-281ME_ | 0.28 | 2.2 | 2.6 | 117 | 11.9 | 20.0 | 28.0 | 22.2 | 30.1 |
| XEL5050-471ME_ | 0.47 | 3.0 | 3.6 | 78.0 | 9.3 | 15.3 | 21.0 | 18.8 | 26.0 |
| XEL5050-681ME_ | 0.68 | 3.8 | 4.6 | 68.0 | 8.0 | 13.1 | 18.2 | 15.8 | 22.0 |
| XEL5050-901ME_ | 0.90 | 4.7 | 5.6 | 60.0 | 7.5 | 12.4 | 17.2 | 14.3 | 19.6 |
| XEL5050-122ME_ | 1.2 | 5.4 | 6.5 | 51.0 | 6.8 | 11.0 | 15.2 | 12.8 | 17.3 |
| XEL5050-182ME_ | 1.8 | 7.8 | 9.3 | 43.0 | 5.7 | 9.3 | 12.8 | 10.5 | 14.4 |
| XEL5050-222ME_ | 2.2 | 10.4 | 12.4 | 38.0 | 4.3 | 6.9 | 9.5 | 9.0 | 12.1 |
| XEL5050-332ME_ | 3.3 | 13.3 | 14.6 | 31.0 | 3.8 | 6.2 | 8.4 | 7.8 | 10.6 |
| XEL5050-472ME_ | 4.7 | 19.6 | 21.5 | 24.0 | 0.20 | 5.3 | 7.4 | 5.9 | 8.1 |
| XEL5050-562ME_ | 5.6 | 22.6 | 24.8 | 23.0 | 2.9 | 4.8 | 6.6 | 5.5 | 7.6 |
| XEL5050-682ME_ | 6.8 | 26.8 | 29.5 | 21.0 | 2.6 | 4.3 | 6.0 | 4.7 | 6.4 |
| XEL5050-822ME_ | 8.2 | 31.8 | 35.0 | 18.0 | 2.3 | 3.9 | 5.6 | 4.5 | 6.1 |
| XEL5050-103ME_ | 10 | 40.9 | 45.0 | 15.0 | 2.1 | 3.5 | 4.9 | 3.6 | 4.9 |
| XEL5050-153ME_ | 15 | 69.7 | 76.7 | 13.0 | 1.7 | 2.9 | 3.7 | 2.9 | 3.9 |
| XEL5050-223ME_ | 22 | 90.6 | 99.7 | 11.0 | 1.5 | 2.7 | 3.6 | 2.5 | 3.4 |
| 图片 | 产品名称 | 说明 |
|---|