对于XAL6030，请参阅XGL5030以节省空间，并减少30％的电路板面积。低DCR（低达10％）和更高的L值（达18 µH）提高了效率。另请参见 XGL6030，以显着降低DCR（降低多达30％）和提高L值（高达18 µH）。
对于XAL6060，请参见XGL6060，以显着降低DCR（降低多达35％）和提高L值（高达47 µH）。请参阅XGL5030， 以节省多达30％的电路板空间和3 mm的高度。
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低功耗（交流和直流）
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软饱和特性可承受高电流尖峰
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磁屏蔽
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复合结构最大程度地减少了嗡嗡声
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无热老化-非常适合高温应用
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AEC-Q200 1级（−40°C至+ 125°C），最高零件温度为165°C
| 零件号 |
电感 (µH) (公差: ±20%) |
DCR (mΩ) | SRF typ (MHz) | Isat (A) | Irms (A) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| typ | max | 20°C rise | 40°C rise | ||||
| XAL6030-181ME_ | 0.18 | 1.6 | 1.8 | 141 | 39.0 | 24.0 | 32.0 |
| XAL6030-331ME_ | 0.33 | 2.3 | 2.5 | 89.0 | 30.0 | 20.0 | 25.0 |
| XAL6030-561ME_ | 0.56 | 3.0 | 3.3 | 61.0 | 29.0 | 17.0 | 22.0 |
| XAL6030-102ME_ | 1.0 | 5.6 | 6.2 | 50.0 | 23.0 | 13.0 | 18.0 |
| XAL6030-122ME_ | 1.2 | 6.8 | 7.5 | 43.0 | 22.0 | 12.0 | 16.0 |
| XAL6030-182ME_ | 1.8 | 9.6 | 10.5 | 34.0 | 18.2 | 10.0 | 14.0 |
| XAL6030-222ME_ | 2.2 | 12.7 | 14.0 | 30.0 | 15.9 | 7.0 | 10.0 |
| XAL6030-332ME_ | 3.3 | 19.9 | 20.8 | 26.0 | 12.2 | 6.0 | 8.0 |
| XAL6060-472ME_ | 4.7 | 13.1 | 14.4 | 21.0 | 10.5 | 8.0 | 11.0 |
| XAL6060-562ME_ | 5.6 | 14.5 | 15.9 | 20.0 | 9.9 | 7.5 | 10.0 |
| XAL6060-682ME_ | 6.8 | 18.9 | 20.8 | 18.0 | 9.2 | 7.0 | 9.0 |
| XAL6060-822ME_ | 8.2 | 24.0 | 26.4 | 16.0 | 8.4 | 6.0 | 8.0 |
| XAL6060-103ME_ | 10 | 27.0 | 29.8 | 14.0 | 7.6 | 5.0 | 7.0 |
| XAL6060-153ME_ | 15 | 39.8 | 43.8 | 11.0 | 5.8 | 4.5 | 6.0 |
| XAL6060-223ME_ | 22 | 55.1 | 60.6 | 9.0 | 5.6 | 3.6 | 5.0 |
| XAL6060-333ME_ | 33 | 95.7 | 105 | 7.0 | 3.7 | 2.7 | 3.6 |
| 图片 | 产品名称 | 说明 |
|---|