好消息！更多选择！
对于XAL5020，请参见XGL4020以节省空间，并减少40％的电路板面积。低DCR（降低多达50％）和更高的L值（高达8.2 uH）提高了效率。另请参见XGL5020，以显着降低DCR（降低多达60％）和提高L值（高达8.2 uH）。
对于XAL5030，请参见XGL4030，以节省空间并减少40％的板面积。低DCR（降低多达25％）和更高的L值（高达12 uH）提高了效率。另请参见 XGL5030，以显着降低DCR（降低多达40％）和提高L值（高达18 uH）
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低功耗（交流和直流）
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软饱和特性可承受高电流尖峰
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磁屏蔽
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复合结构最大程度地减少了嗡嗡声
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无热老化-非常适合高温应用
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AEC-Q200 1级（−40°C至+ 125°C），最高零件温度为165°C
| 零件号 |
电感 (µH) (公差: ±20%) |
DCR (mΩ) | SRF typ (MHz) | Isat (A) | Irms (A) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| typ | max | 20°C rise | 40°C rise | ||||
| XAL5030-161ME_ | 0.16 | 2.2 | 2.4 | 183 | 31.0 | 14.2 | 22.2 |
| XAL5030-331ME_ | 0.33 | 3.2 | 3.5 | 108 | 26.0 | 13.8 | 19.2 |
| XAL5030-601ME_ | 0.60 | 4.1 | 4.5 | 75.0 | 19.8 | 13.6 | 17.7 |
| XAL5030-801ME_ | 0.80 | 5.1 | 5.7 | 63.0 | 18.5 | 10.0 | 13.0 |
| XAL5030-102ME_ | 1.0 | 8.5 | 9.4 | 68.0 | 14.0 | 8.7 | 11.1 |
| XAL5030-122ME_ | 1.2 | 11.4 | 12.4 | 45.0 | 12.5 | 7.9 | 10.4 |
| XAL5030-222ME_ | 2.2 | 13.2 | 14.5 | 38.0 | 9.2 | 7.2 | 9.7 |
| XAL5030-332ME_ | 3.3 | 21.2 | 23.3 | 28.0 | 8.7 | 5.9 | 8.1 |
| XAL5030-472ME_ | 4.7 | 36.0 | 40.0 | 23.0 | 6.7 | 4.3 | 5.9 |
| XAL5050-562ME_ | 5.6 | 23.5 | 25.8 | 25.0 | 6.3 | 5.3 | 7.2 |
| XAL5050-682ME_ | 6.8 | 26.8 | 29.5 | 21.0 | 6.0 | 4.7 | 6.4 |
| XAL5050-822ME_ | 8.2 | 31.8 | 35.0 | 18.0 | 5.6 | 4.5 | 6.1 |
| XAL5050-103ME_ | 10 | 40.9 | 45.0 | 15.0 | 4.9 | 3.6 | 4.9 |
| XAL5050-153ME_ | 15 | 69.7 | 76.7 | 13.0 | 3.7 | 2.9 | 3.9 |
| XAL5050-223ME_ | 22 | 90.6 | 99.7 | 11.0 | 3.6 | 2.5 | 3.4 |
| 图片 | 产品名称 | 说明 |
|---|