众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占据了30％以上的市场。
但是，随着竞争对手开始展现出更高的工艺水平，他们似乎正在挑战三星的技术能力。
NAND闪存是一种非易失性存储技术，不需要电源即可保留数据。
由于数据中心中使用的IT设备和服务器需要更大的存储容量，因此，尽可能多地堆叠薄层已成为NAND闪存芯片制造商的首要任务。
三星尚未宣布其最新的NAND堆栈技术，该技术已超过其当前的128层芯片，而SKhynix，Micron和Kioxia等竞争对手都在争相展示尖端设计。
这促使分析人士认为，这家存储芯片巨头可能正在失去其技术优势。
去年11月，美国芯片制造商美光宣布开发出业界首款176层NAND闪存芯片。
SKHynix随后在12月发布了自己的176层芯片。
日本的Kioxia最近还宣布，它已经与WesternDigital合作成功开发了162层3DNAND。
他们说，新产品比以前的112层技术小40％，可以提供更高的密度和更低的读取延迟。
ObjectiveAnalysis的半导体行业分析师Jim Handy表示，三星在NAND闪存行业的领导地位不会很快改变，但他同意三星在堆叠更多层时将失去竞争力。
“是的，三星落后于竞争对手。
这不是三星第一次在NAND闪存竞争中落后。
我记得在2012年，三星使用了27纳米工艺，这是最不先进的工艺，而其他所有人都在使用24纳米工艺或25纳米工艺。
零件”。
该分析师告诉《韩国时报》。
当被问及为什么三星没有宣布其新的NAND闪存具有比162或176层更高的堆栈数量时，Handy指出该公司过分依赖单平台技术，而竞争对手将堆栈分为两层。
据我所知，拥有更高的堆栈是增加存储容量的最有效方法。
三星一直在寻找更艰难的道路。
三星通过使用单层方法增加了层数，而其他公司则迁移到了两层。
从理论上讲，单个平台的生产成本应该更低，但是开发时间会更长，这似乎就是三星落后的原因。
三星预计，随着智能手机销量的增长，今年对NAND芯片的需求将会增加，而长期的社会隔离措施也将促进笔记本电脑和其他IT设备的销售。
为了满足对服务器的需求，数据中心还将增加越来越多的NAND芯片正在订购中。
为了更好地与竞争对手竞争，三星公司首席财务官崔云浩表示，三星还准备采用两层方法来推出第七代V-NAND。
“为了向您提供有关NAND更新的信息，我们的第六代单堆栈V-NAND已完成了产能的增加。
今年，我们将扩大生产。
在下一代产品，即第七代V-NAND中，我们计划首次采用双堆栈。
崔在一月告诉投资者。
“这将为我们提供业界最小的堆叠高度的优势。
最重要的是，通过使用我们积累的单层堆叠技术知识，我们期望即使在第七代V-NAND上进行多层堆叠的情况下，也能保持出色的成本竞争力。
尽管有公司的愿景，但分析师表示，新方法能否使三星看到明显更好的结果还有待观察。
“开发单层设备更加困难，这会减慢三星的开发速度。
三星表示将为其第七代V-NAND使用两层方法。
由于三星尚未生产两层设备，因此它必须学习如何做其竞争对手已经对甲板上的NAND非常了解的事情。
“但是他并没有改变自己的观点，即三星将继续领导NAND市场。
三星在市场份额方面保持领先地位。
这是公司的主要重点，因此我认为这不会改变。
在技术方面，三星有时会领先，有时会跟随。
分析人士说，今天，该公司的NAND技术已经落后于某些竞争对手。
分析师表示，毫无疑问，三星将保持其在NAND闪存业务中的领先地位，但从长远来看，这家韩国公司面临的最大威胁可能是中国制造商扬子存储。
YMTC去年宣布开发128层3DNAND
