韩国的首尔半导体公司已经在1mm的方形蓝色LED芯片上开发了荧光材料的组合，以实现具有约500lm的光通量的白色LED。
它在日本的“第五届日本新一代照明技术展览会”上举行。
（2013年1月16日至18日将在东京有明国际会展中心展出。
这种发展的特点是比以前的产品更容易增加亮度。
目前，三菱化学传媒已决定采用此产品。
LED灯泡产品的开发产品（品牌名称为VerbaTIm），计划于2013年3月开始量产。
左侧是使用此次开发的产品的LED灯泡，右侧为是原始产品because由于使用了GaN晶体的“非极性表面”，并且可以抑制晶体缺陷，因此可以轻松地提高光输出功率。
这次是在三菱化学制造的GaN基板的非极性表面上生长GaN基半导体晶体而制成的。
普通的蓝色LED芯片是在蓝宝石表面上生长GaN基半导体而制成的strate。
在这种情况下，使用GaN晶体的c面（极面）。
使用这次开发的LED灯泡。
处于非照明状态。
非极性表面是与极性表面垂直的表面。
当将极性表面用作生长表面时，产生压电电场，该压电电场将注入到发光层中的电子和空穴分开，从而导致促进发光的复合概率降低。
作为生长表面的非极性表面不容易受到压电电场的影响，因此可以容易地提高发光效率。
这次开发的产品的最小晶体缺陷仅为1×104cm-2。
普通的蓝光LED芯片在蓝宝石衬底上的GaN基半导体与蓝宝石衬底之间具有非常不同的晶格常数，因此晶体缺陷密度达到5×108cm-2。
通过上述方法，即使在高电流密度下，所开发产品的光输出功率也不容易降低，从而增加了单个白光LED的光输出功率。
未来的目标是通过将1毫米见方的蓝色LED芯片和荧光粉组合在一起，实现1000lm的光通量。
首尔半导体公司还在展览区介绍了该公司正在使用GaN晶体的非极性表面开发UV LED芯片。
将紫外线LED芯片与红色，绿色和蓝色荧光材料组合在一起后，很容易实现高显色照明和具有大颜色表示范围的LCD面板背光。
但是，UV LED当前具有比蓝色LED更低的发光效率的问题。
因此，该公司打算使用非极性表面来实现高发光效率的UV LED。
