外延晶片的生产过程非常复杂。
在散布外延晶片之后，随机选择九个点以在每个外延晶片上进行测试。
符合要求的产品为好产品，其他为次品（电压偏差大，短波或短波）。
太长等）。
优质的外延晶片应开始制造电极（P极，N极），然后使用激光切割外延晶片，然后根据不同的电压，波长和亮度进行100％分选，以实现全自动分选，即，形成LED芯片（方形芯片）。
然后，我们需要进行目视检查，以找出有缺陷或磨损的电极。
这些是背面的分散晶体。
这时，蓝膜上有一些不符合正常运输要求的碎屑，这些碎屑自然会变成碎屑或生碎屑。
有缺陷的外延晶片（主要是因为某些参数不符合要求）不用于制造方形晶片，而是直接制造电极（P极，N极），并且不执行子检查，这是当前的LED圆圈市场。
切片（也有好东西，例如方形切片等）。
半导体制造商主要使用抛光的硅晶片（PW）和外延硅晶片作为IC的原材料。
外延晶片于1980年代初开始使用，其具有某些电气特性，这些特性是标准PW所不具备的，并且消除了晶体生长和随后的晶片加工过程中引入的许多表面/近表面缺陷。
从历史上看，外延晶片是由硅晶片制造商生产并用于自己的用途。
IC中使用的数量不多。
需要在单晶硅晶片的表面上沉积薄的单晶硅层。
通常，外延层的厚度为2-20μm，衬底Si的厚度为610μm（直径150mm的晶片和725μm（200mm的晶片）。
片式反应器可以生产出质量最好的外延层（厚度好，电阻率均匀，缺陷少）；这种外延片可用于生产150mm及以上的晶圆。
“前沿”产品和所有重要的200mm产品。
外延产品外延产品用于四个领域。
CMOS互补金属氧化物半导体支持需要小尺寸器件的尖端工艺。
CMOS产品是外延晶片和外延晶片的最大应用领域。
IC制造商将其用于不可恢复的设备过程，包括存储器应用中的微处理器和逻辑芯片以及闪存和DRAM（动态随机存取存储器）。
管道用于制造需要精确Si特性的组件。
“异国” （exoTIc）半导体包括一些特殊产品。
使用非硅材料，其中许多使用化合物半导体材料并入外延层中。
掩埋层半导体使用双极晶体管元件中的重掺杂区域进行物理隔离，该物理隔离也在外延处理期间沉积。
目前，在200mm晶圆中，外延晶圆占1/3。
在2000年，包括掩埋层在内，用于逻辑器件的CMOS占所有外延晶片的69％，DRAM占11％，而分立器件则占20％。
到2005年，CMOS逻辑将占55％。
DRAM占30％，分立器件占15％。
LED外延晶片基板材料基板材料是半导体照明产业技术发展的基石。
不同的衬底材料需要不同的外延生长技术，芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
基板材料的选择主要取决于以下九个方面：1.良好的结构特性，外延材料与基板的晶体结构相同或相似，晶格常数不匹配低温，结晶性能好，缺陷少密度2.良好的界面特性，有利于外延材料的形核和强附着力3.良好的化学稳定性，在外延生长的温度和气氛下不易分解和腐蚀4.导热性能良好，包括良好的导热性和低导热性失配5，良好的导电性，可以制成上下结构6，良好的光学性能，所制造的器件发出的光被衬底吸收较少7，良好的机械性能，并且易于加工器件，包括减薄，抛光和切割等8，价格低廉9，尺寸大，一般
