随着全球制造业向中国的转移，我国的功率半导体市场占世界市场的50％以上，并且是世界上最大的IGBT市场。
但是，IGBT产品严重依赖进口。
在中高端领域，超过90％的IGBT器件依赖进口。
IGBT本地化的需求迫在眉睫。
1.技术差距缩小+成本优势成为趋势突出从整个产业链的角度来看，IGBT的初期资本支出很大，中期制造良率非常重要。
随后的市场发展需要培育，壁垒非常高。
在批量生产经验和车辆装载方面，英飞凌和其他海外巨头具有丰富的批量生产经验，比亚迪在国内市场上拥有自己的品牌，在电动汽车中具有稳定的应用场景，具有独特的优势。
自第六代技术以来，主要制造商已开始将其能量转移至IGBT封装。
在IGBT封装材料方面，日本在世界上遥遥领先，德国和美国在追随潮流，而我国的材料科学则相对落后。
由于国内公司的8英寸晶圆生产线已陆续投产，并且生产率逐渐提高，与以前购买英飞凌等巨型晶圆相比，预计国内IGBT的价格将大幅下降。
2.国内企业在IGBT布局加速模式上有自己的优势。
国内厂商有自己的优势。
从需求方面看，中国对功率半导体的需求是世界上最大的需求。
从供应方来看，独立控制是一种发展趋势。
今年4月底，比亚迪IGBT项目已在长沙开工建设。
项目建成后，可年产25万辆新能源汽车用8英寸电子核，可满足年产50万辆汽车的生产能力。
此外，其他制造商也正在加快IGBT生产能力的建设。
投产后，新能源汽车用IGBT模块的扩建项目可生产120万个新能源汽车用IGBT模块。
中国中车时代电气已完成第一条投资10亿元的IGBT生产线的发布，第二条投资35亿元的生产线预计于2020年底开始试生产。
4-50亿元。
华虹半导体在7月31日宣布，其8 + 12英寸大功率半导体生产线将得到全面开发，并积极开展IGBT代工业务。
Sun.King电力电子公司的第一阶段生产能力将于2021年初完成并投入生产，并计划在2024年之前形成200万个IGBT模块的生产能力。
华润发布的2020年半年度报告Micro显示，该公司目前正在研究13个项目，包括IGBT产品设计和工艺技术研发。
第三，IGBT技术和障碍成为难点。
IGBT的制造困难并且具有极高的技术壁垒。
中国的功率半导体市场约占世界市场份额的50％，但中，高端MOSFET和IGBT主流器件市场基本上由欧洲，美国和日本公司垄断。
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国内的IGBT技术（芯片设计，晶圆制造，模块封装）目前处于起步阶段。
国内的IGBT公司在研发和制造工艺方面与世界先进水平有很大的差距。
因此，该行业的后来者通常需要经历长期的技术探索和积累，才能与已经在该行业中拥有技术优势的公司竞争。
高铁，智能电网，新能源和高压逆变器中使用的IGBT模块规格超过6500V，具有很强的技术壁垒。
由于IGBT技术的高度集成导致了较高的市场集中度，因此三菱，三菱和富士电机等英飞凌国际制造商具有天然的市场优势，这为国内制造商提供了另一个发展机会。
另外，IGBT产业存在技术门槛高，人才匮乏，市场开发困难，资金投入大等困难。
国内公司在工业化进程中一直很慢。
IGBT模块是下游产品中的关键组件。
它的性能，稳定性和可靠性对下游客户非常重要。
因此，认证期长且更换成本高。
因此，即使该行业的新进入者不断发展和进步，
