在生活中,您可能接触过各种电子产品,然后您可能不知道其某些组件,例如其中可能包含的**,然后让编辑带领所有人学习碳化硅MOSFET器件。
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ROHM的SCT3xxx xR系列包括六个具有沟槽栅结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。
该产品系列采用4引脚封装(TO-247-4L),与传统的3引脚封装(TO-247N)相比,它可以最大限度地提高开关性能并最多降低35%的开关损耗。
SiC-MOSFET特别适合在服务器电源,UPS系统,太阳能逆变器和新能源汽车充电站中进行节能使用。
当其小于40A时,CoolSiCTM MOSFET几乎显示出电阻特性,而IGBT在输出特性中具有拐点,通常为1V〜2V,并且电流在拐点之后随电压线性增加。
通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚分离,从而最大程度地减小了寄生电感成分的影响。
这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应用特别有吸引力。
尤其是随着先进的AI和IoT的发展,对云服务的需求持续增长,数据中心面临着减少功耗,增加容量和性能的挑战。
当负载电流为15A时,在室温下,CoolSiCTM的正向压降仅为IGBT的一半。
在175°C的结温下,CoolSiCTM MOSFET的正向压降约为IGBT的80%。
在实际的器件设计中,CoolSiCTM MOSFET的传导损耗低于IGBT。
辅助评估板(P02SCT3040KR-EVK-001)具有为驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC(BM6101FV-C)。
多个电源IC和分立元件有助于应用评估和开发。
由于它与两种封装类型(TO-247-4L和TO-247N)兼容,因此可以在相同条件下进行评估。
该评估板可用于升压电路,2级逆变器以及同步整流和降压电路中的双脉冲测试和组件评估。
相信通过阅读以上内容,每个人都对碳化硅MOSFET器件有了初步的了解。
同时,我希望每个人都能在学习过程中进行总结,以不断提高他们的设计水平。