人类社会的进步离不开社会各界的努力，而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。
实际上，许多人不了解诸如氮等电子产品的成分。
镓（GaN）功率级。
从着眼于新产品的推出和提供电子元器件的大量库存开始，Mouser Electronics（Mouser Electronics）从现在开始开始供应德州仪器（TI）的LMG341xR050氮化镓（GaN）功率级。
这款600V，500mΩ的器件具有集成的栅极驱动器和强大的保护功能，使设计人员能够在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费电源，高压电池充电器，光伏应用，例如逆变器和多级转换器。
由于AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高截止态击穿强度和导通态的出色沟道导电性，它们是开关功率晶体管的有希望的候选者。
这些特征是GaN及其异质结构材料AlGaN的特殊物理性能的组合。
与硅MOSFET相比，Mouser Electronics拥有的TI LMG341xR050 GaN功率级具有许多优势，包括超低的输入和输出电容，可降低EMI的低开关节点振铃以及可最多降低80％的开关损耗。
零反向恢复。
该器件的集成栅极驱动器支持100 V / ns开关，几乎实现了零VD振铃，其微调栅极偏置电压可通过补偿阈值变化来确保可靠的开关。
该功率级集成了一系列独特的功能，例如密集高效的拓扑（例如图腾柱功率因数校正（PFC）结构），从而使设计人员能够优化电源性能并提高可靠性。
此外，由于GaN / AlGaN HEMT的电子传输特性，比导通电阻比具有相同额定电压的Si功率器件的导通电阻几乎低两个数量级。
因此，GaN器件同时实现高击穿电压和高电流水平，并且具有小的半导体面积。
此外，这还转换为高功率电平下的高开关频率。
LMG341xR050 GaN功率级具有强大的保护功能。
它不需要外部保护组件即可提供过热保护，瞬态电压抗扰性，并且所有电源轨均具有欠压锁定（UVLO）保护。
此外，LMG341xR050还可以提供过电流保护，其响应时间小于100 ns，压摆率抗扰度大于150 V / ns。
本文只能使您对GaN功率电平有一个初步的了解。
这对您入门很有帮助。
同时，您需要继续进行总结，以便提高您的专业技能。
也欢迎您讨论本文的一些知识点。
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